Tháng trước, Samsung vừa bị tòa án yêu cầu trả 538,6 triệu USD cho Apple vì vi phạm bản quyền liên quan đến thiết kế của iPhone.
“Họa vô đơn chí”, hãng sản xuất Hàn Quốc mới đây lại bị buộc tội tương tự khi khi có dấu hiệu vi phạm bản quyền của một đơn vị khác. Cụ thể, Tòa án Liên bang Mỹ tuyên Samsung vi phạm sở hữu trí tuệ đối với công nghệ FinFET được sử dụng trong chip xử lý, do Viện Khoa học và Công nghệ Phát triển Hàn Quốc (KAIST IP US) nắm giữ.
Số tiền mà Samsung phải trả chính xác là 400 triệu USD, nhưng phía tòa án cho rằng doanh nghiệp này cố tình vi phạm nên đưa ra phương án tăng gấp 3 tiền phạt, lên tới 1,2 tỷ USD. Cùng với Samsung, Qualcomm và GlobalFoundries Inc. cũng nhận cáo buộc vi phạm cùng bản quyền này.
Tuy nhiên, hai đơn vị kia đã dàn xếp với KAIST IP US để thoát án phạt tài chính.
FinFET là bóng bán dẫn dùng trong thiết kế bộ xử lý sử dụng cổng điện cực dạng vây cá (lá tản nhiệt). Công nghệ này cho phép mở đa cổng trên một bóng bán dẫn, giúp tăng hiệu năng của chip, đồng thời giảm lượng tiêu thụ điện năng trên các chip nhỏ hơn.
Theo cáo trạng, Samsung ban đầu không sử dụng FinFET vì xem đây chỉ là công nghệ nhất thời. Nhưng sau đó, hãng thay đổi quyết định khi Intel sở hữu bản quyền dùng FinFET trên các chip xử lý của hãng.
Samsung phủ nhận cáo buộc vi phạm, cho rằng hãng đã hợp tác cùng với KAIST để phát triển FinFET. Nhà sản xuất Hàn Quốc cũng tuyên bố bản quyền được đề cập trước tòa là vô căn cứ và sẽ xem xét kháng cáo.
Theo Phone Arena
