TSi – Sau khi ra mắt thành DDR4 64GB dùng công nghệ 3D TSV vào năm 2014, Samsung đã cải tiến nó để có thể đưa dung lượng lưu trữ lên gấp đôi, phù hợp cho nhu cầu doanh nghiệp
Dòng RAM có dung lượng cao ngất ngưỡng này chủ chủ yếu sẽ phục vụ cho các máy chủ hiệu năng cao và nó được thiết kế dựa trên công nghệ 3D TSV ( Through Silicon Via) trong đó các lớp bán dẫn sẽ nằm chồng lên nhau để tăng mật độ lưu trữ. Bằng việc mua các thanh RAM 128GB thế hệ mới này, các công ty vận hành server có thể tiết kiệm được chi phí đổi bo mạch mới chỉ để tăng số khe DIMM.
Phát biểu cho dòng sản phẩm mới, ông Joo, Sun Choi, phó chủ tịch điều hành mảng kinh doanh và tiếp thị bộ nhớ của Samsung Electronics cho biết: “chúng tôi rất hài vui vì sản phẩm RAM 128GB TSV thế hệ mới cho tốc độ cao hơn, sử dụng điện năng thấp hơn sẽ giúp các khách hàng ngành công nghệ thông tin toàn cầu và các đối tác của mình mở ra một thế hệ giải pháp doanh nghiệp mới, giúp tăng tưởng hiệu suất và khả năng mở rộng cho những gói đầu tư của họ. Chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng hợp tác kỹ thuật với những công ty hàng đầu thế giới về lĩnh vực máy chủ, điện toán cá nhân và các thị trường mới nổi, nơi khách hàng có thể nhận ra được những lợi điểm của sự phát triển công nghệ giúp tăng năng suất của họ và đồng thời tăng trải nghiệm của người dùng.
Theo Samsung, mỗi thanh RAM TSV 128GB có 144 con chip DDR4 4GB được xếp thành 36 cụm, được sản xuất trên dây chuyền 20nm và tốc độ truyền dữ liệu tối đa có thể đạt được vào khoảng 2400Mbps, tức khoảng 300MB mỗi giây. Trong khi đó, mức tiêu thụ điện năng thì có thể giảm xuống tới 50% so với RAM 64GB LRDIMMS mà công ty từng ra mắt trước đây.
